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物理学部

李琳

时间:2015-03-31 阅读次数:



;讲师、硕士生导师;中共党员

电话:

电子邮箱:lilin@mail.buct.edu.cn

实验室楼名及房间号:行政楼311

 

v  目前主讲课程:

半导体物理

普通物理(I)(II)

科技英语

 

v  教育经历:

2008年毕业于北京大学物理学院,获理学学士学位;

2013年毕业于北京大学物理学院,获理学博士学位。

 

v  工作经历:

2013.07-至今:北京化工大学理学院,讲师。

 

v  学术兼职:

 

 

v  主要研究领域:

1)采用离子束调控GaMnAs材料的磁性

2SiC材料中缺陷诱导的铁磁性

 

v  主持或参与课题及项目研究情况:

1)主持:国家自然科学基金青年基金项目:“碳化硅材料中缺陷诱导铁磁性的研究”

 

v  发表论文情况:

累计发表学术论文十余篇,其中SCI收录论文十余篇。代表性论文如下:

1.      Y. Wang, Lin Li, S. Prucnal, X. Chen, W. Tong, Z. Yang, F. Munnik, K. Potzger, W. Skorupa, S. Gemming, M. Helm and S. Zhou*, Disentangling defect-induced ferromagnetism in SiC, Phys. Rev. B 89, 014417 (2014)

2.      Lin Li, W. Hua, S. Prucnal, S. Yao*, L. Shao, K. Potzger and S. Zhou, “Defect induced ferromagnetism in 4H-SiC single crystals”,Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B 275, 33 (2012)

3.      Lin Li, S. Prucnal, S. Yao, K. Potzger, W. Anwand, A. Wagner and S. Zhou*, “ Rise and fall of defect induced ferromagnetism in SiC single crystals”, Appl. Phys. Lett.98, 222508 (2011)

4.      Lin Li, S. Yao, S. Zhou*, D. Burger, O. Roshchupkina, S. Akhmadaliev,  A. W. Rushforth, R. P. Campion, J. Fassbender, M. Helm, B. L. Gallagher, C. Timm and H. Schmidt, “Tailoring the magnetism of GaMnAs films by ion irradiation”,J. Phys. D: Appl. Phys.44, 045001(2011);

5.      Lin Li, S. Yao, O. Roshchupkina, S. Prucnal, S. Akhmadaliev, R.P. Campion, A. W. Rushforth, J. Fassbender, M. Helm, B. L. Gallagher, C. Timm, H. Schmidt, and S. Zhou*, “Characterization and local magnetic modification of ion irradiated GaMnAs”, Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B269, 2469(2011)

 

v  获奖情况:

 

v  招生专业:

物理

 

v  招生要求:

1)对实验感兴趣

2)勤奋踏实